MOSFET, N-канальный, 30 В, 32 А, 0,0017 Ом, QFN-8
192 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 300 ₴
- Под заказ
- Оптом и в розницу
- Код: 3523840199
Отправка с 23 сентября 2026MOSFET, N-канальный, 30 В, 32 А, 0,0017 Ом, QFN-8Под заказ
192 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
30-вольтовий одноканальний силовий MOSFET StrongIRFET™ у корпусі PQFN 5x6
Сімейство потужних MOSFET-транзисторів StrongIRFET™ оптимізовано для низького RDS(on) та високої струмової стійкості. Ці пристрої ідеально підходять для низькочастотних застосувань, що вимагають продуктивності та надійності. Повний портфель підходить для широкого спектру застосувань, включаючи двигуни постійного струму, системи керування акумуляторами, інвертори та перетворювачі постійного струму.
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | QFN-8 |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IRFH8311 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | ГЕКСПЕТ |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 30 V |
| Ідентифікатор | 42.00 А |
| Загальна кількість | 3,6 Вт |
| RDS (увімкнено) | 1,7 мОм |
| тд (увімкнено) | 21 |
| тд (вимкнено) | 21 |
| Зворотне стягнення | 47 нКл |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 1,2..2,35 В |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+150 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | SMD |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | Низький RDSon 5 мОм; LV 40 В |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Пользовательские характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900003264915 |
| Id | 42.00 А |
| Ptot | 3.6 W |
| RDS (вкл.) | 1,7 мОм |
| RoHS | соответствовать |
| UDS | 30 V |
| Vgs(th) | 1.2..2.35 В |
| td (off) | 21 |
| td (on) | 21 |
| Базовый номер продукта | IRFH8311 |
| Вес | 1,5E-5 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| Идентификатор производителя | IRFH8311TRPBF |
| Квалификация | Стандарт |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Материал | Si |
| Мoдель | HEXFET |
| Особенность | Низкое сопротивление RDSon 5 мОм; Низкое напряжение 40 В |
| Плата за обратное восстановление | 47 nC |
| Режим | Улучшение |
| Способ крепления | SMD |
| Температурный диапазон | -55..+150 |
| Технология | N-канальный |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Угс | ±20 В |
| Форма монтажа | QFN-8 |
Информация для заказа
- Цена: 192 ₴