MOSFET, N-канальный, 800 В, 4,1 А, 125 Вт, корпус TO-220AB
225 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 300 ₴
- Под заказ
- Оптом и в розницу
- Код: 1522378522
Отправка с 23 сентября 2026MOSFET, N-канальный, 800 В, 4,1 А, 125 Вт, корпус TO-220ABПод заказ
225 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Технологія HEXFET є ключем до передової лінійки потужних MOSFET-транзисторів міжнародної компанії Rectifier. Ефективна геометрія та унікальна обробка конструкції HEXFET забезпечують дуже низький опір у відкритому стані в поєднанні з високою крутизною та надзвичайною міцністю пристрою.
Пакет TO-220 є універсальним для всіх комерційно-промислових застосувань з рівнем розсіюваної потужності приблизно до 50 Вт. Низький тепловий опір і низька вартість корпусу TO-220 сприяють його широкому розповсюдженню в промисловості.
Особливості
- оцінка повторюваних лавин
- легкість паралельного з'єднання
- швидке перемикання
- прості вимоги до диска
| Генерал | |
| Технологія | Силовий МОП-транзистор |
| Форма кріплення | TO-220AB |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IRFBE30 |
| Тип | Силовий МОП-транзистор |
| Модель | Силовий МОП-транзистор |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 800 V |
| Ідентифікатор | 4,10 А |
| Загальна кількість | 125 Вт |
| RDS (увімкнено) | 3 Ом |
| тд (увімкнено) | 12 |
| тд (вимкнено) | 82 |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 2..4 В |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+150 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | ТТТ. |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | HV 600V |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | ВІШАЙ |
Характеристики
| Размеры | |
|---|---|
| Вес | 0.002 кг |
| Пользовательские характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900000416508 |
| Id | 4.10 А |
| Ptot | 125 Вт |
| RDS (вкл.) | 3 Ом |
| RoHS | соответствовать |
| UDS | 800 V |
| Vgs(th) | 2..4 В |
| td (off) | 82 |
| td (on) | 12 |
| Базовый номер продукта | IRFBE30 |
| Дизайн | Одинокий |
| Идентификатор производителя | IRFBE30PBF |
| Квалификация | Стандарт |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Материал | Si |
| Мoдель | Силовой МОП-транзистор |
| Особенность | ВН 600В |
| Производитель | ВИШАЙ |
| Режим | Улучшение |
| Способ крепления | THT |
| Температурный диапазон | -55..+150 |
| Технология | Силовой МОП-транзистор |
| Тип | Силовой МОП-транзистор |
| Угс | ±20 В |
| Форма монтажа | TO-220AB |
Информация для заказа
- Цена: 225 ₴