MOSFET N-канальный 60 В 195 А 375 Вт 0,002 Ом TO220AB
198 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 300 ₴
- Под заказ
- Оптом и в розницу
- Код: 2747707209
Отправка с 23 сентября 2026MOSFET N-канальный 60 В 195 А 375 Вт 0,002 Ом TO220ABПод заказ
198 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Силовий МОП-транзистор HEXFET®
Заявка
- Застосування приводів із щітковими двигунами
- Застосування приводів двигунів BLDC
- Схеми з живленням від батареї
- Напівмостова та повномостова топології
- Застосування синхронного випрямляча
- Блоки живлення в резонансному режимі
- Перемикачі АБО та резервного живлення
- DC/DC та AC/DC перетворювачі
- Інвертори DC/AC
Переваги
- Покращена стійкість до воріт, лавини та динамічного DV/dt
- Повністю охарактеризована ємність і лавинний SOA
- Покращені можливості корпусних діодів dv/dt та di/dt
- Не містить свинцю, відповідає вимогам RoHS
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | TO-220AB |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IRFB7530 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | ГЕКСПЕТ |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 60 В |
| Ідентифікатор | 195,00 А |
| Загальна кількість | 375 Вт |
| RDS (увімкнено) | 2 мОм |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 2,1..3,7 В |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | ТТТ. |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | Низький RDSon 5 мОм |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Пользовательские характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900002573605 |
| Id | 195.00 А |
| Ptot | 375 W |
| RDS (вкл.) | 2 мОм |
| RoHS | соответствовать |
| UDS | 60 V |
| Vgs(th) | 2.1..3.7 В |
| Базовый номер продукта | IRFB7530 |
| Вес | 0,002 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| Идентификатор производителя | IRFB7530PBF |
| Квалификация | Стандарт |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Материал | Si |
| Мoдель | HEXFET |
| Особенность | Низкое сопротивление RDSon 5 мОм |
| Режим | Улучшение |
| Способ крепления | THT |
| Температурный диапазон | -55..+175 |
| Технология | N-канальный |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Угс | ±20 В |
| Форма монтажа | TO-220AB |
Информация для заказа
- Цена: 198 ₴