MOSFET N-канальный 250 В 60 А 0,033 Ом, TO220AB
262 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 300 ₴
- Под заказ
- Оптом и в розницу
- Код: 4001275458
Отправка с 23 сентября 2026MOSFET N-канальный 250 В 60 А 0,033 Ом, TO220ABПод заказ
262 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Силовий МОП-транзистор HEXFET®
особливість
- Передова технологія процесу
- Ключові параметри, оптимізовані для додатків PDP-підтримки, рекуперації енергії та комутаторів пропуску
- Низький показник EPULSE для зменшення розсіювання потужності в системах підтримки PDP, рекуперації енергії та прохідних комутаторах
- Низький QG для швидкого реагування
- Висока здатність до повторюваного пікового струму для надійної роботи
- Короткий час спаду та підйому для швидкого перемикання
- Робоча температура переходу 175°C для підвищеної міцності
- Повторна лавинна стійкість для міцності та надійності
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | TO-220AB |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IRFB4332 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | ГЕКСПЕТ |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 250 V |
| Ідентифікатор | 60,00 А |
| Загальна кількість | 390 Вт |
| RDS (увімкнено) | 29 мОм |
| тд (увімкнено) | - |
| тд (вимкнено) | - |
| Зворотне стягнення | 820 нКл |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 2,0..4,0 В |
| фТ | 1 МГц |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | ТТТ. |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | ні |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Пользовательские характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900002573742 |
| Id | 60.00 А |
| Ptot | 390 Вт |
| RDS (вкл.) | 29 мОм |
| RoHS | соответствовать |
| UDS | 250 В |
| Vgs(th) | 2.0..4.0 В |
| fT | 1 МГц |
| td (off) | - |
| td (on) | - |
| Базовый номер продукта | IRFB4332 |
| Вес | 0,002 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| Идентификатор производителя | IRFB4332PBF |
| Квалификация | Стандарт |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Материал | Si |
| Мoдель | HEXFET |
| Особенность | Нет |
| Плата за обратное восстановление | 820 нК |
| Режим | Улучшение |
| Способ крепления | THT |
| Температурный диапазон | -55..+175 |
| Технология | N-канальный |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Угс | ±20 В |
| Форма монтажа | TO-220AB |
Информация для заказа
- Цена: 262 ₴