MOSFET, N-канальный, 100 В, 120 А, 0,0048 Ом, корпус TO-220
204 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 300 ₴
- Под заказ
- Оптом и в розницу
- Код: 556126039
Отправка с 23 сентября 2026MOSFET, N-канальный, 100 В, 120 А, 0,0048 Ом, корпус TO-220Под заказ
204 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Додатки
- високоефективне синхронне випрямлення в SMPS
- джерело безперебійного живлення
- високошвидкісне перемикання живлення
- схеми з жорсткою комутацією та високочастотні схеми
Переваги
- покращена стійкість до гейтів, лавин та динамічного dV/dt
- повністю охарактеризована ємність та лавинна SOA
- покращені можливості вимірювання dV/dt та dI/dt для корпусних діодів
- Без свинцю
| Генерал | |
| Технологія | Високочастотний DC-DC перетворювач |
| Форма кріплення | TO-220-5-Fullpak |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IRFB4310Z |
| Тип | Силовий МОП-транзистор |
| Модель | ГЕКСПЕТ |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 100 V |
| Ідентифікатор | 120,00 А |
| Загальна кількість | 250 Вт |
| RDS (увімкнено) | 4,8 мОм |
| тд (увімкнено) | 20 |
| тд (вимкнено) | 55 |
| Зворотне стягнення | 58 нКл |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 2..4 В |
| фТ | 1 МГц |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | ТТТ. |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | Низький RDSon 5 мОм |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Пользовательские характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900000903190 |
| Id | 120.00 А |
| Ptot | 250 Вт |
| RDS (вкл.) | 4,8 мОм |
| RoHS | соответствовать |
| UDS | 100 V |
| Vgs(th) | 2..4 В |
| fT | 1 МГц |
| td (off) | 55 |
| td (on) | 20 |
| Базовый номер продукта | IRFB4310Z |
| Вес | 0,002 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| Идентификатор производителя | IRFB4310ZPBF |
| Квалификация | Стандарт |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Материал | Si |
| Мoдель | HEXFET |
| Особенность | Низкое сопротивление RDSon 5 мОм |
| Плата за обратное восстановление | 58 nC |
| Режим | Улучшение |
| Способ крепления | THT |
| Температурный диапазон | -55..+175 |
| Технология | Высокочастотный DC-DC преобразователь |
| Тип | Силовой МОП-транзистор |
| Угс | ±20 В |
| Форма монтажа | TO-220-5-Fullpak |
Информация для заказа
- Цена: 204 ₴