MOSFET, N-канальный, 40 В, 160 А, сопротивление 0,0016 Ом, D²Pak-7
214 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 300 ₴
- Под заказ
- Оптом и в розницу
- Код: 1250914632
Отправка с 23 сентября 2026MOSFET, N-канальный, 40 В, 160 А, сопротивление 0,0016 Ом, D²Pak-7Под заказ
214 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
HEX-транзистор силовий MOSFET
Цей потужний MOSFET HEXFET використовує найновіші технології обробки для досягнення надзвичайно низького опору у відкритому стані на кожній кремнієвій поверхні. Інші особливості цієї конструкції включають робочу температуру бар'єрного шару 175°C, високу швидкість перемикання та покращений показник стійкості до повторюваних лавин. Ці характеристики роблять цю конструкцію надзвичайно ефективним та надійним компонентом для широкого спектру застосувань.
Особливості
- Передова технологія процесу
- Надзвичайно низький опір у увімкненому стані
- Динамічне значення dv/dt
- Робоча температура 175°C
- Швидке перемикання
- Повністю лавиностійкий
- Без свинцю
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | D²Pak-7 |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IRF2804STRL7PP |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | ГЕКСПЕТ |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 40 V |
| Ідентифікатор | 160,00 А |
| Загальна кількість | 330 Вт |
| RDS (увімкнено) | 0,0016 Ом |
| тд (увімкнено) | 17 |
| тд (вимкнено) | 110 |
| Зворотне стягнення | 48 нКл |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 2,0..4,0 В |
| фТ | 1 МГц |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | SMD |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | Низький RDSon 5 мОм; LV 40 В |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Размеры | |
| Вес | 0.002 кг |
| Пользовательские характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900003809482 |
| Id | 160.00 А |
| Ptot | 330 Вт |
| RDS (вкл.) | 0,0016 Ом |
| RoHS | соответствовать |
| UDS | 40 V |
| Vgs(th) | 2.0..4.0 В |
| fT | 1 МГц |
| td (off) | 110 |
| td (on) | 17 |
| Базовый номер продукта | IRF2804STRL7PP |
| Дизайн | Одинокий |
| Идентификатор производителя | IRF2804STRL7PP |
| Квалификация | Стандарт |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Материал | Si |
| Мoдель | HEXFET |
| Особенность | Низкое сопротивление RDSon 5 мОм; Низкое напряжение 40 В |
| Плата за обратное восстановление | 48 нКл |
| Режим | Улучшение |
| Способ крепления | SMD |
| Температурный диапазон | -55..+175 |
| Технология | N-канальный |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Угс | ±20 В |
| Форма монтажа | Д²Пак-7 |
Информация для заказа
- Цена: 214 ₴