MOSFET, N-канальный, 24 В, 195 А, сопротивление 0,0012 Ом, корпус TO-220
206 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 300 ₴
- Под заказ
- Оптом и в розницу
- Код: 2606499241
Отправка с 23 сентября 2026MOSFET, N-канальный, 24 В, 195 А, сопротивление 0,0012 Ом, корпус TO-220Под заказ
206 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Додатки
- високоефективне синхронне випрямлення в SMPS
- високошвидкісне перемикання живлення
- джерело безперебійного живлення
- схеми з жорсткою комутацією та високочастотні схеми
Переваги
- покращена стійкість до гейтів, лавин та динамічного dV/dt
- повністю охарактеризована ємність та лавинна SOA
- покращені можливості вимірювання dV/dt та dI/dt для корпусних діодів
- Без свинцю
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | ТО-220 |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IRF1324 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | ГЕКСПЕТ |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 24 V |
| Ідентифікатор | 195,00 А |
| Загальна кількість | 300 W |
| RDS (увімкнено) | 1,2 мОм |
| тд (увімкнено) | 17 |
| тд (вимкнено) | 83 |
| Зворотне стягнення | 160 нКл |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 1,0..2,5 В |
| фТ | 1 МГц |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | ТТТ. |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | Низький RDSon 5 мОм; LV 40 В |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Размеры | |
| Вес | 0.002 кг |
| Пользовательские характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900002171023 |
| Id | 195.00 А |
| Ptot | 300 Вт |
| RDS (вкл.) | 1,2 мОм |
| RoHS | соответствовать |
| UDS | 24 V |
| Vgs(th) | 1.0..2.5 В |
| fT | 1 МГц |
| td (off) | 83 |
| td (on) | 17 |
| Базовый номер продукта | IRF1324 |
| Дизайн | Одинокий |
| Идентификатор производителя | IRF1324PBF |
| Квалификация | Стандарт |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Материал | Si |
| Мoдель | HEXFET |
| Особенность | Низкое сопротивление RDSon 5 мОм; Низкое напряжение 40 В |
| Плата за обратное восстановление | 160 nC |
| Режим | Улучшение |
| Способ крепления | THT |
| Температурный диапазон | -55..+175 |
| Технология | N-канальный |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Угс | ±20 В |
| Форма монтажа | TO-220 |
Информация для заказа
- Цена: 206 ₴