SRAM, 4 Мб (512 К х 8), 1,7..3,6 В, SOIC-8

Устройство SRAM с последовательным интерфейсом 4 Мбит, диапазон напряжения 1,7–3,6 В постоянного тока

512 Кх8 высокоскоростная статическая оперативная память CMOS, SRAM, 3,3 В 10 нс SOJ36

ISSI IS61LV5128AL — это высокоскоростная, маломощная статическая CMOS-память объемом 524 288 слов на 8 бит. IS61LV5128AL изготовлена с использованием высокопроизводительной CMOS-технологии ISSI. Этот высоконадежный процесс в сочетании с инновационными методами проектирования схем обеспечивает более высокую производительность и низкое энергопотребление устройств. Когда CE находится в высоком состоянии (отключен), устройство переходит в режим ожидания, в котором рассеиваемая мощность может быть снижена до 250 мкВт (типовое значение) при входных уровнях CMOS. IS61LV5128AL работает от одного источника питания 3,3 В, и все входы совместимы с TTL. IS61LV5128AL доступна в 36-контактных корпусах SOJ 400-mil, 36-контактных mini BGA и 44-контактных корпусах TSOP (тип II).