Корзина

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 09:00 ближайшего рабочего дня (завтра, 07.09)

+380 (99) 330-24-88
Інтернет - магазин "Vevor"
Корзина

SiC-MOSFET N-канальный, 650 В, 21 А, 0,156 Ом, корпус TO-247

807 ₴

Показать оптовые цены
  • Под заказ
  • Оптом и в розницу
  • Код: 1529934455
clockОтправка с 13 сентября 2026
SiC-MOSFET N-канальный, 650 В, 21 А, 0,156 Ом, корпус TO-247
SiC-MOSFET N-канальный, 650 В, 21 А, 0,156 Ом, корпус TO-247Под заказ
807 ₴
+380 (99) 330-24-88
оператор
+380 (99) 330-24-88
оператор
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

N-канальний SIC Power MOSFET

особливості

  • Низький опір
  • Швидка швидкість перемикання
  • Швидке зворотне відновлення
  • Легко запаралелювати
  • Простий в управлінні
  • Свинцеве покриття без вмісту свинцю; відповідає вимогам RoHS


заявка
  • Сонячні інвертори
  • Перетворювачі постійного/постійного струму
  • Блоки живлення з перемикачем режимів
  • Індукційний нагрів
  • Моторні приводи
Електричні показники
УДС 650 В
Ідентифікатор 21 А
RDS (увімкнено) 120 мОм
Загальна кількість 103 Вт
тд (увімкнено) 14
тд (вимкнено) 23
Зворотне стягнення 35 нКл
фТ 1 МГц
Генерал
Форма кріплення ТО-247
Тип МОП-ТРАНЗИСТОР
Технологія N-канал
Інше
Температурний діапазон -55...+175
Реалізація
Матеріал SiC
Технічні характеристики виробника
Виробник РОХМ

 

SiC-MOSFET, N-канальний, 650 В, 21 А, 0,156 R, TO-247
Характеристики
Основные
ПроизводительROHM
Пользовательские характеристики
EAN/GTIN9900002572578
Id21 A
Ptot103 W
RDS (вкл.)120 мОм
RoHSсоответствовать
UDS650 V
fT1 МГц
td (off)23
td (on)14
Вес0,006 кг
Идентификатор производителяSCT3120ALGC11
Код ТН ВЭД85412900
МатериалSiC
Плата за обратное восстановление35 nC
Температурный диапазон-55...+175
ТехнологияN-канальный
ТипМОП-ТРАНЗИСТОР
Форма монтажаТО-247
Информация для заказа
  • Цена: 807 ₴