Корзина

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 09:00 ближайшего рабочего дня (завтра, 07.09)

+380 (99) 330-24-88
Інтернет - магазин "Vevor"
Корзина

SiC-MOSFET N-канальный, 1200 В, 95 А, 427 Вт, сопротивление Rdson 0,0286 Ом, корпус TO247

3 324 ₴

Показать оптовые цены
  • Под заказ
  • Оптом и в розницу
  • Код: 2052052091
clockОтправка с 13 сентября 2026
SiC-MOSFET N-канальный, 1200 В, 95 А, 427 Вт, сопротивление Rdson 0,0286 Ом, корпус TO247
SiC-MOSFET N-канальный, 1200 В, 95 А, 427 Вт, сопротивление Rdson 0,0286 Ом, корпус TO247Под заказ
3 324 ₴
+380 (99) 330-24-88
оператор
+380 (99) 330-24-88
оператор
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

N-канальний SiC силовий MOSFET

особливості

  • Низький опір
  • Швидка швидкість перемикання
  • Швидке зворотне відновлення
  • Легко запаралелювати
  • Простий в управлінні
  • Свинцеве покриття без вмісту свинцю; відповідає вимогам RoHS


заявка
  • Сонячні інвертори
  • Перетворювачі постійного/постійного струму
  • Блоки живлення з перемикачем режимів
  • Індукційний нагрів
  • Моторні приводи
Електричні показники
УДС 1200 В
Ідентифікатор 95 А
RDS (увімкнено) 22 мОм
Загальна кількість 427 Вт
Генерал
Форма кріплення ТО247
Тип МОП-ТРАНЗИСТОР
Технологія N-канал
Реалізація
Матеріал Сі
Технічні характеристики виробника
Виробник РОХМ

 

SiC-MOSFET, N-канальний, 1200 В, 95 А, 427 Вт, Rdson 0.0286R, TO247
Характеристики
Основные
ПроизводительROHM
Пользовательские характеристики
EAN/GTIN9900002571922
Id95 A
Ptot427 В
RDS (вкл.)22 мОм
RoHSсоответствовать
UDS1200 V
Вес0,006 кг
Идентификатор производителяSCT3022KLGC11
Код ТН ВЭД85412900
МатериалSi
ТехнологияN-канальный
ТипМОП-ТРАНЗИСТОР
Форма монтажаТО247
Информация для заказа
  • Цена: 3 324 ₴