SiC-MOSFET 1200V 56A 0R027 HiP247-4
1 455 ₴
Показать оптовые цены- Под заказ
- Оптом и в розницу
- Код: 3345485827
Отправка с 13 сентября 2026
SiC-MOSFET 1200V 56A 0R027 HiP247-4Под заказ
1 455 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Силовий MOSFET атомарного класу з карбіду кремнію, 1200 В, типовий опір 27 мОм, 56 А в корпусі HiP247-4
Dieser SiC-Leistungs-MOSFET wurde unter Verwendung der fortschrittlichen und innovative SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Bauelement zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich aus, kombiniert mit geringen in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz sowie eine Verringerung von Systemgröße und Gewicht verbessert.
| Генерал | |
| Модель | STPOWER SiC G3 |
| Дизайн | Неодружений |
| Форма кріплення | HiP247-4 |
| Кваліфікація | AEC-Q101 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Електричні показники | |
| УДС | 1200 В |
| Ідентифікатор | 56 А |
| RDS (увімкнено) | 27 мОм |
| Загальна кількість | 389 Вт |
| тд (увімкнено) | 16.4 |
| тд (вимкнено) | 32,5 |
| Зворотне стягнення | 73 нКл |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+200 |
| Реалізація | |
| Матеріал | SiC |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | СТМІКРОЕЛЕКТРОНІКС |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Пользовательские характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900004360029 |
| Id | 56 A |
| Ptot | 389 В |
| RDS (вкл.) | 27 мОм |
| RoHS | соответствовать |
| UDS | 1200 V |
| td (off) | 32.5 |
| td (on) | 16.4 |
| Вес | 0,008 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| Идентификатор производителя | SCT025W120G3-4AG |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Материал | SiC |
| Мoдель | STPOWER SiC G3 |
| Плата за обратное восстановление | 73 nC |
| Температурный диапазон | -55..+200 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Форма монтажа | HiP247-4 |
Информация для заказа
- Цена: 1 455 ₴