SiC-MOSFET N-канальный, 1700 В, 7 А, 0,750 Ом, корпус TO-247

MSC750SMA170B, 1700 В, 750 мОм, N-канальний силовий MOSFET з карбіду кремнію

Опис
Лінійка силових MOSFET з карбіду кремнію (SiC) від Microsemi підвищує продуктивність порівняно з кремнієвими MOSFET і кремнієвими IGBT-рішеннями, знижуючи при цьому загальну вартість володіння для високовольтних застосувань. Пристрій MSC750SMA170B - це SiC MOSFET на 1700 В, 750 мОм в корпусі TO-247.

Особливості:
- Низькі ємності та низький заряд затвора
- Висока швидкість перемикання завдяки низькому внутрішньому опору затвора (ESR)
- Стабільна робота за високої температури переходу, TJ(max) = 175 °C
- Швидкий та надійний діод на корпусі
- Чудова стійкість до лавин
- Відповідає вимогам RoHS

Вигоди:
- Висока ефективність для створення легшої та компактнішої системи
- Простий в управлінні та легкий паралельний рух
- Покращені теплові характеристики та нижчі втрати на перемикання
- Усуває необхідність використання зовнішнього діода вільного ходу
- Нижча вартість володіння системою

Заявки:
- Фотоелектричні інвертори, перетворювачі та промислові приводи двигунів
- Інтелектуальна мережа передачі та розподілу
- Індукційний нагрів та зварювання
- Силовий агрегат для автомобілів/електромобілів та зарядний пристрій для електромобілів
- Постачання та розподіл електроенергії