SiC-MOSFET N-канальный, 650 В, 59 А, 0,027 Ом, корпус TO-247-4

IMZA65R027M1HXKSA1

MOSFET 650 В CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device

650-вольтовий CoolSiC™ побудований на основі технології твердого карбіду кремнію, розробленої в Infineon понад 20 років. Використовуючи характеристики матеріалу SiC з широкою забороненою зоною, 650-вольтовий MOSFET CoolSiC™ пропонує унікальне поєднання продуктивності, надійності та простоти використання. Підходить для високотемпературних та жорстких умов експлуатації, що забезпечує спрощене та економічно ефективне розгортання системи з найвищою ефективністю.

Особливості
- Оптимізована поведінка перемикання при вищих струмах
- Комутаційно стійкий швидкий діод з низьким Qrr
- Чудова надійність затворного оксиду
- Найкраща теплопровідність та властивості
- Нижча залежність RDS(on) та імпульсного струму від температури
- Підвищена стійкість до лавин
- Сумісний зі стандартними драйверами (рекомендована напруга живлення: 18 В)
- Джерело Кельвіна забезпечує до 4 разів менші втрати на перемикання

Переваги
- Унікальне поєднання високої продуктивності, високої надійності та простоти використання
- Простота використання та інтеграції
- Підходить для топологій з безперервною жорсткою комутацією
- Вища стійкість та надійність системи
- Підвищення ефективності
- Зменшений розмір системи, що призводить до вищої щільності потужності

Потенційне застосування
- ПІП
- ДБЖ (джерела безперебійного живлення)
- Сонячні фотоелектричні інвертори
- Інфраструктура зарядки електромобілів
- Зберігання енергії та формування акумулятора
- Підсилювачі класу D

Перевірка продукту
Повністю відповідає вимогам JEDEC для промислового застосування