SiC-MOSFET 1200V 26A 0R09 TO247-4
672 ₴
Показать оптовые цены- Под заказ
- Оптом и в розницу
- Код: 2243302998
Отправка с 13 сентября 2026
SiC-MOSFET 1200V 26A 0R09 TO247-4Под заказ
672 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IMZ120R090M1H
МОП-транзистор CoolSiC™ 1200 В SiC Trench у корпусі TO247-4
Дискретний MOSFET-транзистор CoolSiC™ з 1200 В і 90 мОм G1 в TO247-4-Gehäuse базується на високосучасному Trench-Halbleiterprozess, der darauf optimiert ist, Leistung und Zuverlässigkeit zu vereinen. Der SiC-MOSFET bietet die niedrigsten Gate-Ladungs- und Bauelementkapazitätswerte, die bei 1200-V-Schaltern zu finden sind, keine Rückwärtserholungsverluste der internen kommutationsfesten Body-Diode, temperaturunabhängige niedrige Schaltverluste und eine schwellwertfreie Einschaltcharakteristik.
Маркування
12M1H090
| Генерал | |
| Модель | CoolSiC G1 |
| Дизайн | Неодружений |
| Форма кріплення | TO-247-4 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Електричні показники | |
| УДС | 1200 В |
| Ідентифікатор | 26 А |
| RDS (увімкнено) | 90 мОм |
| Загальна кількість | 115 Вт |
| тд (увімкнено) | 5.4 |
| тд (вимкнено) | 11.5 |
| Зворотне стягнення | 21 нКл |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Матеріал | SiC |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Пользовательские характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900004359993 |
| Id | 26 A |
| Ptot | 115 W |
| RDS (вкл.) | 90 мОм |
| RoHS | соответствовать |
| UDS | 1200 V |
| td (off) | 11.5 |
| td (on) | 5.4 |
| Вес | 0,008 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| Идентификатор производителя | IMZ120R090M1HXKSA1 |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Материал | SiC |
| Мoдель | CoolSiC G1 |
| Плата за обратное восстановление | 21 нКл |
| Температурный диапазон | -55..+175 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Форма монтажа | TO-247-4 |
Информация для заказа
- Цена: 672 ₴