SiC-MOSFET 1200V 26A 0R09 TO247

Меркмале.

• Дуже сильний сплеск перепадів
• Schwellwertfreie Durchlasskennlinie
• Großer Gate-Source-Spannungsbereich
• Referenz-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) = 4,5 В
• 0-V-Abschalt-Gatespannung für eine einfache und uncomplizierte Gate-Ansteuerung
• Vollständig steuerbares dV/dt
• Надійний корпусний діод для комунікації
• Temperaturunabhängige Ausschaltverluste

МОП-транзистор CoolSiC™ 1200 В SiC Trench
Карбідкремнієвий MOSFET

Vorteile

• Зменшення ефективності
• Ermöglicht höhere Frequenzen
• Високий потужний
• Зменшений охолоджувальний вал
• Reduzierung der Systemkomplexität und der Kosten

Маркування: 12M1H090

Дискретний MOSFET CoolSiC™ 1200 В, 90 мО G1 в TO247-3-Gehäuse базується на високосучасному Trench-Halbleiterprozess, der Leistung und Zuverlässigkeit miteinander verbindet. Der SiC-MOSFET bietet die niedrigsten Gate-Ludungs- und Bauelementekapazitätswerte, die bei 1200-V-Schaltern zu finden sind, keine Reverse-Recovery-Verluste der internen kommutierungsfesten Body-Diode, temperaturunabhängig niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie On-State-Charakteristik.