SiC-MOSFET N-канальный/SBD, 1200 В 134 А 935 Вт, C-пакет
5 012 ₴
Показать оптовые цены- Под заказ
- Оптом и в розницу
- Код: 3844151225
Отправка с 13 сентября 2026
SiC-MOSFET N-канальный/SBD, 1200 В 134 А 935 Вт, C-пакетПод заказ
5 012 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
SiC силовой MOSFET
Характеристики
- Низкий уровень нарастания и низкие потери при переключении
- Возможна высокая скорость переключения
- Сниженная температурная зависимость
Приложение
- Моторный привод
- Инверторы, преобразователи
- Фотовольтаика, ветроэнергетика
Дизайн
Данный продукт представляет собой модуль прерывателя, состоящий из SiC-DMOS и SiC SBD от компании ROHM.
| Общие сведения | |
| Дизайн | Чоппер |
| Форма монтажа | C-пакет |
| Тип | Модуль MOSFET |
| Технология | N-канал, полумост + 2xSBD |
| Электрические величины | |
| UDS | 1200 V |
| Id | 134 А |
| Ptot | 935 В |
| td (on) | 30 |
| td (off) | 165 |
| Vgs(th) | 4 В |
| Угс | -6..+22 В |
| Другое | |
| Температурный диапазон | -40...+150 |
| Реализация | |
| Материал | SiC |
| Меры | |
| Высота | 21,1 мм |
| Ширина | 45,6 мм |
| Длина | 122 мм |
| Технические характеристики производителя | |
| Производитель | ROHM |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ROHM |
| Пользовательские характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900003793309 |
| Id | 134 А |
| Ptot | 935 В |
| RoHS | соответствовать |
| UDS | 1200 V |
| Vgs(th) | 4 В |
| td (off) | 165 |
| td (on) | 30 |
| Вес | 0,359 кг |
| Высота | 21,1 мм |
| Дизайн | Чоппер |
| Длина | 122 мм |
| Идентификатор производителя | BSM120C12P2C201 |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Материал | SiC |
| Температурный диапазон | -40...+150 |
| Технология | N-канал, полумост + 2xSBD |
| Тип | Модуль MOSFET |
| Угс | -6..+22 В |
| Форма монтажа | C-пакет |
| Ширина | 45,6 мм |
Информация для заказа
- Цена: 5 012 ₴