SiC каскадный полевой транзистор, 650 В 85 А, сопротивление Rdson 0,027 Ом, корпус TO-220-3L

650В SiC-MOSFET-каскад 27мР

Описание:
В каскадных устройствах компании United Silicon Carbide высокопроизводительные SiC JFET-транзисторы G3 объединены с оптимизированным для каскадного управления MOSFET-транзистором, что позволяет создать единственное на рынке на сегодняшний день устройство на основе SiC со стандартным управлением затвором. Эта серия демонстрирует сверхнизкий заряд затвора, а также лучшие характеристики обратного восстановления среди всех устройств с аналогичными параметрами. Эти устройства отлично подходят для коммутации индуктивных нагрузок и любых применений, требующих стандартного управления затвором.

Особенности:
- Типичное сопротивление включения Rds(on) 27 мкР
- Максимальная рабочая температура 175°C
- Отличное реверсивное восстановление
- Низкий заряд затвора
- Низкая собственная емкость
- Защита от электростатического разряда, HBM класс 2

Типовые применения
- ЭлектрооборудованиеЗарядка для смартфонов
- Фотоэлектрические преобразователи
- Источники питания с переключаемым режимом работы
- Модули коррекции коэффициента мощности
- Моторные приводы
- Индукционный нагрев