SiC каскадный полевой транзистор, 1200 В 18,4 А, сопротивление Rdson 0,15 Ом, D²Pak-7L

SiC-Kaskode-FET, 1200 В, 18,4 А, Rdson 0,15R D²Pak-7L

Описание:
Этот SiC FET-транзистор основан на уникальной α-каскодной схеме, в которой нормально включенный SiC JFET-транзистор объединен с Si MOSFET-транзистором для получения нормально выключенного SiC FET-транзистора. Стандартные характеристики управления затвором позволяют использовать устройство в качестве прямой замены для Si IGBT-транзисторов, Si FET-транзисторов, SiC MOSFET-транзисторов или Si суперпереходных транзисторов. Доступный в корпусе D2PAK-7L, этот транзистор демонстрирует сверхнизкий заряд затвора и исключительные характеристики обратного восстановления, что делает его идеальным для коммутации индуктивных нагрузок и любых применений, требующих стандартного управления затвором.

Особенности:
- Типичное сопротивление в открытом состоянии RDS(on), тип. 150 мОм
- Максимальная рабочая температура 175°C
- Отличное реверсивное восстановление
- Низкий заряд затвора
- Низкая собственная емкость
- Защита от электростатического разряда, HBM класс 2
- Корпус D²Pak-7L для более быстрого переключения и получения чистых сигналов от затвора.

Приложения:
- Зарядка электромобилей
- Фотоэлектрические преобразователи
- Источники питания с переключаемым режимом работы
- Модули коррекции коэффициента мощности
- Моторные приводы
- Индукционный нагрев