SiC каскадный полевой транзистор, 650 В 54 А, сопротивление Rdson 0,042 Ом, корпус TO-247-3L

650В SiC-MOSFET-каскад 42мР TO-247-3L

Описание:
В своих каскадных продуктах компания United Silicon Carbide объединяет высокопроизводительные SiC JFET-транзисторы G3 с оптимизированным для каскадного управления MOSFET-транзистором, создавая единственное на сегодняшний день на рынке устройство на основе SiC со стандартным управлением затвором. Эта серия демонстрирует сверхнизкий заряд затвора, а также лучшие характеристики обратного восстановления среди всех устройств с аналогичными характеристиками. Эти устройства отлично подходят для коммутации индуктивных нагрузок при использовании с рекомендованными RC-демпферами, а также для любых применений, требующих стандартного управления затвором.

Особенности:
- Типичное сопротивление включения Rds(on) составляет 42 мкР
- Максимальная рабочая температура 175°C
- Отличное реверсивное восстановление
- Низкий заряд затвора
- Низкая собственная емкость
- Защита от электростатического разряда, HBM класс 2
- Очень низкие коммутационные потери (требуемые потери в RC-звеньях пренебрежимо малы при типичных условиях эксплуатации)

Типовые применения
- ЭлектрооборудованиеЗарядка для смартфонов
- Фотоэлектрические преобразователи
- Источники питания с переключаемым режимом работы
- Модули коррекции коэффициента мощности
- Моторные приводы
- Индукционный нагрев