Модуль IGBT-матрицы, полумостовой, 1200 В, 200 А, корпус C2.0.

Траншейный IGBT-модуль, полумост, 1200 В, 200 А, корпус C2.0

Общее описание:
Силовой модуль STARPOWER IGBT обеспечивает сверхнизкие потери проводимости, а также стойкость к коротким замыканиям. Они предназначены для таких применений, как инверторы общего назначения и ИБП.

Особенности:
- Технология IGBT с низким напряжением насыщения (Vce(sat)).
- Возможность короткого замыкания до 10 мкс
- Vce(sat) с положительным температурным коэффициентом
Максимальная температура перехода 175°C
- Корпус с низкой индуктивностью
- Быстрое и плавное обратное восстановление, антипараллельный передний привод
- Изолированная медная опорная пластина, изготовленная с использованием технологии DBC.

Типичные области применения:
- Инвертор для привода двигателя
- Усилитель сервопривода переменного и постоянного тока
- Источник бесперебойного питания