Корзина

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 09:00 ближайшего рабочего дня (сегодня)

+380 (99) 330-24-88
Інтернет - магазин "Vevor"
Корзина

Флэш-память Multi-NOR, 4 Мб (512 К x 8), 5 В, DIP-32

684 ₴

Показать оптовые цены
  • Под заказ
  • Оптом и в розницу
  • Код: 2065744916
clockОтправка с 14 сентября 2026
Флэш-память Multi-NOR, 4 Мб (512 К x 8), 5 В, DIP-32
Флэш-память Multi-NOR, 4 Мб (512 К x 8), 5 В, DIP-32Под заказ
684 ₴
+380 (99) 330-24-88
оператор
+380 (99) 330-24-88
оператор
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Описание


Микросхема SST39SF010A / 020A / 040 представляет собой многоцелевую флэш-память CMOS (MPF), изготовленную с использованием запатентованной компанией SST высокопроизводительной технологии CMOS SuperFlash. Конструкция ячейки с раздельным затвором и инжектор с толстым оксидным слоем обеспечивают более высокую надежность и технологичность по сравнению с альтернативными подходами. Запись (программирование или удаление) микросхем SST39SF010A / 020A / 040 осуществляется от источника питания напряжением 4,5-5,5 В.
Устройства SST39SF010A / 020A / 040 соответствуют стандартному назначению выводов JEDEC для памяти x8.
Микросхемы SST39SF010A / 020A / 040 обеспечивают мощное байтовое программирование с максимальным временем байтового программирования 20 мкс.
Для индикации завершения процесса программирования в этих устройствах используется опрос Toggle Bit или Data #.
Они имеют встроенные аппаратные и программные схемы защиты данных от случайной записи.
Эти устройства разработаны, изготовлены и испытаны для широкого спектра применений и имеют гарантированный типовой ресурс 100 000 циклов.
Срок хранения данных оценивается более чем в 100 лет.

Особенности и преимущества
- Организованы как 128K x8 / 256K x8 / 512K x8

- Однократные операции чтения и записи с напряжением 4,5-5,5 В

- Повышенная надежность
- Срок службы: 100 000 циклов (типично)
- Более 100 лет хранения данных

- Низкое энергопотребление (типовые значения при частоте 14 МГц)
- Активный ток: 10 мА (типовой)
- Ток в режиме ожидания: 30 мкА (типичный)

- функция стирания секторов
- Равномерные сектора по 4 Кбайт

- Быстрое время доступа при чтении:
- 70 нс

- Сохраняемые адрес и данные

- Автоматическая синхронизация записи
- Внутренняя генерация VPP

- Быстрое стирание и байт-программа
- Время очистки сектора: 18 мс (типовое)
- Время стирания микросхемы: 70 мс (типовое)
- Время программирования байта: 14 мкс (типичное значение)
- Время перезаписи микросхемы:
2 секунды (типично) для SST39SF010A
4 секунды (типично) для SST39SF020A
8 секунд (типично) для SST39SF040

- Обнаружение конца записи
- Бит переключения
- поиск данных

- Совместимость с TTL-входами/выходами

- Стандарт JEDEC
- Назначение выводов Flash EEPROM и наборы команд

- Доступные корпуса
- PLCC с 32 разъемами
- TSOP с 32 разъемами (8 мм x 14 мм)
- 32-полюсный PDIP

- Все компоненты соответствуют требованиям RoHS

При необходимости мы также можем поставлять комплектные упаковочные единицы, брусковые или ленточные изделия, наш отдел котировок будет рад проконсультировать Вас!

Общие сведения
Тип Параллельный
Модель NOR Flash
Дизайн Многоцелевой
Форма монтажа DIP-32
Память 4 Мб (512kx8)
Другое
Температурный диапазон 0..+70
Спецпредложения
Защита от записи Да
Энергоэффективность
Долговечность 100.000 h
Электрические величины
Время доступа 70 нс
Напряжение питания 5,0 В ПОСТОЯННОГО ТОКА
Технические характеристики производителя
Производитель MICROCHIP

 

Флэш-память Multi-NOR, 4 Мб (512 К x 8), 5 В, DIP-32
Характеристики
Основные
ПроизводительMicrochip
Пользовательские характеристики
EAN/GTIN9900002663221
RoHSсоответствовать
Вес0,003 кг
Время доступа70 нс
ДизайнМногоцелевой
Долговечность100.000 h
Защита от записиДа
Идентификатор производителяSST39SF040-70-4C-PHE
Код ТН ВЭД85423261
МoдельNOR Flash
Напряжение питания5,0 В ПОСТОЯННОГО ТОКА
Память4 Мб (512kx8)
Температурный диапазон0..+70
ТипПараллельный
Форма монтажаDIP-32
Информация для заказа
  • Цена: 684 ₴