
MOSFET, N-канальный, 600 В, 23 А, 227 Вт, сопротивление 0,165 Ом, корпус TO-247
707 ₴
Показать оптовые цены- Под заказ
- Оптом и в розницу
- Код: 2464583152
Отправка с 14 сентября 2026Силовий МОП-транзистор
SUPERFET II, Easy-Drive
SUPERFET II MOSFET – це абсолютно нове сімейство високовольтних MOSFET-транзисторів із суперпереходом (SJ) від ON Semiconductor, які використовують технологію вирівнювання заряду для забезпечення наднизького опору у відкритому стані та меншого заряду затвора. Ця технологія розроблена для мінімізації втрат у лінії та забезпечення чудових характеристик перемикання, швидкості dV/dT та вищої енергії лавини.
Серія MOSFET SUPERFET II Easy-Drive пропонує дещо повільніші часи наростання та спаду, ніж серія MOSFET SUPERFET II. Ця серія, що має суфікс "E", може бути використана для вирішення проблем електромагнітних перешкод та спрощує реалізацію проекту. Вам слід розглянути серію MOSFET SUPERFET II для швидшого перемикання в застосуваннях, де втрати на перемикання необхідно звести до абсолютного мінімуму.
Особливості
- 650 В при ТДж = 150°C
- Типовий RDS(увімк.) = 132 мОм
- Надзвичайно низький заряд затвора (зазвичай Qg = 57 нКл)
- Низька ефективна вихідна ємність (зазвичай Coss(eff.) = 204 пФ)
- 100% протестовано на стійкість до лавин
- Не містить свинцю та відповідає вимогам RoHS
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | ТО-247 |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | ФЧ165Н60Е |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | Силовий МОП-транзистор |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 600 V |
| Ідентифікатор | 23.00 А |
| Загальна кількість | 227 Вт |
| RDS (увімкнено) | 165 мОм |
| тд (увімкнено) | 22 |
| тд (вимкнено) | 100 |
| Зворотне стягнення | 5300 нКл |
| Ugs | ±30 В |
| Vgs(th) | 3,0..5,0 В |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+150 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | ТТТ. |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | HV 600V |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | ONSEMI |

| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900003791145 |
| Id | 23.00 А |
| Ptot | 227 W |
| RDS (вкл.) | 165 мОм |
| RoHS | соответствовать |
| UDS | 600 V |
| Vgs(th) | 3.0..5.0 В |
| td (off) | 100 |
| td (on) | 22 |
| Базовый номер продукта | FCH165N60E |
| Вес | 0,009 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| Идентификатор производителя | FCH165N60E |
| Квалификация | Стандарт |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Материал | Si |
| Мoдель | Силовой МОП-транзистор |
| Особенность | ВН 600В |
| Плата за обратное восстановление | 5300 нК |
| Режим | Улучшение |
| Способ крепления | THT |
| Температурный диапазон | -55..+150 |
| Технология | N-канальный |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Угс | ±30 В |
| Форма монтажа | ТО-247 |
- Цена: 707 ₴
