Корзина

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 09:00 ближайшего рабочего дня (сегодня)

+380 (99) 330-24-88
Інтернет - магазин "Vevor"
Корзина

MOSFET, N-канальный, 600 В, 23 А, 227 Вт, сопротивление 0,165 Ом, корпус TO-247

707 ₴

Показать оптовые цены
  • Под заказ
  • Оптом и в розницу
  • Код: 2464583152
clockОтправка с 14 сентября 2026
MOSFET, N-канальный, 600 В, 23 А, 227 Вт, сопротивление 0,165 Ом, корпус TO-247
MOSFET, N-канальный, 600 В, 23 А, 227 Вт, сопротивление 0,165 Ом, корпус TO-247Под заказ
707 ₴
+380 (99) 330-24-88
оператор
+380 (99) 330-24-88
оператор
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Силовий МОП-транзистор
SUPERFET II, Easy-Drive

SUPERFET II MOSFET – це абсолютно нове сімейство високовольтних MOSFET-транзисторів із суперпереходом (SJ) від ON Semiconductor, які використовують технологію вирівнювання заряду для забезпечення наднизького опору у відкритому стані та меншого заряду затвора. Ця технологія розроблена для мінімізації втрат у лінії та забезпечення чудових характеристик перемикання, швидкості dV/dT та вищої енергії лавини.
Серія MOSFET SUPERFET II Easy-Drive пропонує дещо повільніші часи наростання та спаду, ніж серія MOSFET SUPERFET II. Ця серія, що має суфікс "E", може бути використана для вирішення проблем електромагнітних перешкод та спрощує реалізацію проекту. Вам слід розглянути серію MOSFET SUPERFET II для швидшого перемикання в застосуваннях, де втрати на перемикання необхідно звести до абсолютного мінімуму.

Особливості

  • 650 В при ТДж = 150°C
  • Типовий RDS(увімк.) = 132 мОм
  • Надзвичайно низький заряд затвора (зазвичай Qg = 57 нКл)
  • Низька ефективна вихідна ємність (зазвичай Coss(eff.) = 204 пФ)
  • 100% протестовано на стійкість до лавин
  • Не містить свинцю та відповідає вимогам RoHS
Генерал
Технологія N-канал
Форма кріплення ТО-247
Дизайн Неодружений
Базовий номер продукту ФЧ165Н60Е
Тип МОП-ТРАНЗИСТОР
Модель Силовий МОП-транзистор
Режим Покращення
Кваліфікація Стандартний
Електричні показники
УДС 600 V
Ідентифікатор 23.00 А
Загальна кількість 227 Вт
RDS (увімкнено) 165 мОм
тд (увімкнено) 22
тд (вимкнено) 100
Зворотне стягнення 5300 нКл
Ugs ±30 В
Vgs(th) 3,0..5,0 В
Інше
Температурний діапазон -55..+150
Реалізація
Стиль монтажу ТТТ.
Матеріал Сі
Спеціальні пропозиції
Особливість HV 600V
Технічні характеристики виробника
Виробник ONSEMI

 

МОП-транзистор, N-канальний, 600 В, 23 А, 227 Вт, 0,165 R, TO-247
Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
EAN/GTIN9900003791145
Id23.00 А
Ptot227 W
RDS (вкл.)165 мОм
RoHSсоответствовать
UDS600 V
Vgs(th)3.0..5.0 В
td (off)100
td (on)22
Базовый номер продуктаFCH165N60E
Вес0,009 кг
ДизайнОдинокий
Идентификатор производителяFCH165N60E
КвалификацияСтандарт
Код ТН ВЭД85412900
МатериалSi
МoдельСиловой МОП-транзистор
ОсобенностьВН 600В
Плата за обратное восстановление5300 нК
РежимУлучшение
Способ крепленияTHT
Температурный диапазон-55..+150
ТехнологияN-канальный
ТипМОП-ТРАНЗИСТОР
Угс±30 В
Форма монтажаТО-247
Информация для заказа
  • Цена: 707 ₴