Корзина

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 09:00 ближайшего рабочего дня (сегодня)

+380 (99) 330-24-88
Інтернет - магазин "Vevor"
Корзина

MOSFET, N-канальный, 600 В, 52 А, 481 Вт, сопротивление 0,072 Ом, корпус TO-247

789 ₴

Показать оптовые цены
  • Под заказ
  • Оптом и в розницу
  • Код: 2674601495
clockОтправка с 14 сентября 2026
MOSFET, N-канальный, 600 В, 52 А, 481 Вт, сопротивление 0,072 Ом, корпус TO-247
MOSFET, N-канальный, 600 В, 52 А, 481 Вт, сопротивление 0,072 Ом, корпус TO-247Под заказ
789 ₴
+380 (99) 330-24-88
оператор
+380 (99) 330-24-88
оператор
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Силовий МОП-транзистор
SUPERFET II, FRFET

MOSFET SUPERFET II – це абсолютно нове сімейство високовольтних MOSFET-транзисторів із суперпереходом (SJ) від ON Semiconductor, яке використовує технологію вирівнювання заряду для забезпечення наднизького опору у відкритому стані та нижчого заряду затвора. Ця технологія розроблена для мінімізації втрат у лінії та забезпечення чудових характеристик перемикання, швидкості dV/dT та вищої енергії лавинного випромінювання. Тому MOSFET SUPERFET II ідеально підходить для застосувань імпульсного живлення, таких як PFC, блоки живлення серверів/телекомунікацій, блоки живлення телевізорів FPD, блоки живлення ATX та промислові блоки живлення. Оптимізована продуктивність діодного переходу MOSFET-транзисторів SUPERFET II FRFET® усуває потребу в додаткових компонентах та підвищує надійність системи.

Особливості

  • 650 В при ТДж = 150°C
  • Типовий RDS(увімк.) = 65 мОм
  • Надзвичайно низький заряд затвора (зазвичай Qg = 165 нКл)
  • Низька ефективна вихідна ємність (зазвичай Coss(eff.) = 441 пФ)
  • 100% протестовано на стійкість до лавин
  • Не містить свинцю та відповідає вимогам RoHS


Додатки
  • Блоки живлення для телекомунікацій/серверів
  • Промислові джерела живлення
  • Зарядний пристрій для електромобілів
  • ДБЖ/сонячна енергія
Генерал
Технологія N-канал
Форма кріплення ТО-247
Дизайн Неодружений
Базовий номер продукту ФЧ072Н60Ф
Тип МОП-ТРАНЗИСТОР
Модель Силовий МОП-транзистор
Режим Покращення
Кваліфікація Стандартний
Електричні показники
УДС 600 V
Ідентифікатор 52.00 А
Загальна кількість 481 Вт
RDS (увімкнено) 72 мОм
тд (увімкнено) 43
тд (вимкнено) 140
Зворотне стягнення 1290 нКл
Ugs ±30 В
Vgs(th) 3,0..5,0 В
Інше
Температурний діапазон -55..+150
Реалізація
Стиль монтажу ТТТ.
Матеріал Сі
Спеціальні пропозиції
Особливість HV 600V
Технічні характеристики виробника
Виробник ONSEMI

 

МОП-транзистор, N-канальний, 600 В, 52 А, 481 Вт, 0,072 R, TO-247
Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
EAN/GTIN9900003791138
Id52.00 А
Ptot481 В
RDS (вкл.)72 мОм
RoHSсоответствовать
UDS600 V
Vgs(th)3.0..5.0 В
td (off)140
td (on)43
Базовый номер продуктаFCH072N60F
Вес0,024 кг
ДизайнОдинокий
Идентификатор производителяFCH072N60F
КвалификацияСтандарт
Код ТН ВЭД85412900
МатериалSi
МoдельСиловой МОП-транзистор
ОсобенностьВН 600В
Плата за обратное восстановление1290 нКл
РежимУлучшение
Способ крепленияTHT
Температурный диапазон-55..+150
ТехнологияN-канальный
ТипМОП-ТРАНЗИСТОР
Угс±30 В
Форма монтажаТО-247
Информация для заказа
  • Цена: 789 ₴