Корзина

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 09:00 ближайшего рабочего дня (сегодня)

+380 (99) 330-24-88
Інтернет - магазин "Vevor"
Корзина

MOSFET, N-канальный, 600 В, 76 А, 595 Вт, сопротивление 0,041 Ом, корпус TO-247

1 234 ₴

Показать оптовые цены
  • Под заказ
  • Оптом и в розницу
  • Код: 1305586129
clockОтправка с 14 сентября 2026
MOSFET, N-канальный, 600 В, 76 А, 595 Вт, сопротивление 0,041 Ом, корпус TO-247
MOSFET, N-канальный, 600 В, 76 А, 595 Вт, сопротивление 0,041 Ом, корпус TO-247Под заказ
1 234 ₴
+380 (99) 330-24-88
оператор
+380 (99) 330-24-88
оператор
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Силовий МОП-транзистор
SUPERFET II, FRFET

SUPERFET II MOSFET – це абсолютно нове сімейство високовольтних MOSFET на суперпереході (SJ) від ON Semiconductor, яке використовує технологію вирівнювання заряду для забезпечення наднизького опору у відкритому стані та меншого заряду затвора.
Ця технологія розроблена для мінімізації втрат у лінії та забезпечення чудової комутаційної продуктивності, коефіцієнта dV/dT та вищої енергії лавинного випромінювання. Тому MOSFET SUPERFET II ідеально підходить для застосувань імпульсного живлення, таких як PFC, блоки живлення серверів/телекомунікацій, блоки живлення телевізорів FPD, блоки живлення ATX та промислові блоки живлення. Оптимізована продуктивність діодного переходу MOSFET SUPERFET II FRFET® усуває потребу в додаткових компонентах та підвищує надійність системи.

Особливості

  • 650 В при ТДж = 150°C
  • Типовий RDS(увімк.) = 36 мОм
  • Надзвичайно низький заряд затвора (зазвичай Qg = 277 нКл)
  • Низька ефективна вихідна ємність (зазвичай Coss(eff.) = 748 пФ)
  • 100% протестовано на стійкість до лавин
  • Не містить свинцю та відповідає вимогам RoHS


Додатки
  • Блоки живлення для телекомунікацій/серверів
  • Промислові джерела живлення
  • Зарядний пристрій для електромобілів
  • ДБЖ/сонячна енергія
Генерал
Технологія N-канал
Форма кріплення ТО-247
Дизайн Неодружений
Базовий номер продукту ФЧ041Н60Ф
Тип МОП-ТРАНЗИСТОР
Модель Силовий МОП-транзистор
Режим Покращення
Кваліфікація Стандартний
Електричні показники
УДС 600 V
Ідентифікатор 76,00 А
Загальна кількість 595 Вт
RDS (увімкнено) 41 мОм
тд (увімкнено) 63
тд (вимкнено) 244
Зворотне стягнення 1790 н.К.
Ugs ±30 В
Vgs(th) 3,0..5,0 В
Інше
Температурний діапазон -55..+150
Реалізація
Стиль монтажу ТТТ.
Матеріал Сі
Спеціальні пропозиції
Особливість HV 600V
Технічні характеристики виробника
Виробник ONSEMI

 

МОП-транзистор, N-канальний, 600 В, 76 А, 595 Вт, 0,041 R, TO-247
Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
EAN/GTIN9900003791121
Id76.00 А
Ptot595 Вт
RDS (вкл.)41 мОм
RoHSсоответствовать
UDS600 V
Vgs(th)3.0..5.0 В
td (off)244
td (on)63
Базовый номер продуктаFCH041N60F
Вес0,011 кг
ДизайнОдинокий
Идентификатор производителяFCH041N60F
КвалификацияСтандарт
Код ТН ВЭД85412900
МатериалSi
МoдельСиловой МОП-транзистор
ОсобенностьВН 600В
Плата за обратное восстановление1790 нКл
РежимУлучшение
Способ крепленияTHT
Температурный диапазон-55..+150
ТехнологияN-канальный
ТипМОП-ТРАНЗИСТОР
Угс±30 В
Форма монтажаТО-247
Информация для заказа
  • Цена: 1 234 ₴