MOSFET, N-канальный, 650 В, 21 А, 0,18 Ом, корпус TO-220
495 ₴
Показать оптовые цены- Под заказ
- Оптом и в розницу
- Код: 3829861482
Отправка с 13 сентября 2026
MOSFET, N-канальный, 650 В, 21 А, 0,18 Ом, корпус TO-220Под заказ
495 ₴
+380 (99) 330-24-88
операторУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
SiHP22N60E, силовий MOSFET серії E
Особливості:
- Низький показник добротності (FOM) Ron x Qg
- Низька вхідна ємність (Ciss)
- Зменшені втрати на комутацію та провідність
- Ультранизький заряд затвора (Qg)
- Номінальна енергія лавини (UIS)
- Категоризація матеріалів: визначення відповідності див. на сайті www.vishay.com
Заявки:
- Блоки живлення для серверів та телекомунікацій
- Імпульсні джерела живлення (ІМП)
- Джерела живлення з корекцією коефіцієнта потужності (PFC)
- Освітлення
- Високоінтенсивний розряд (HID)
- Флуоресцентне баластне освітлення
- Промисловий
- Зварювання
- Індукційний нагрів
- Моторні приводи
- Зарядні пристрої для акумуляторів
- Відновлювана енергетика
- Сонячна енергетика (фотоелектричні інвертори)
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | ТО-220 |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | SIHP22N60E |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | TrenchFET |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 650 В |
| Ідентифікатор | 21.00 А |
| Загальна кількість | 227 Вт |
| RDS (увімкнено) | 180 мОм |
| Ugs | ±30 В |
| Vgs(th) | 2,0..4,0 В |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+150 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | ТТТ. |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | HV 600V |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | ВІШАЙ |
Характеристики
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| EAN/GTIN | 9900002517715 |
| Id | 21.00 А |
| Ptot | 227 W |
| RDS (вкл.) | 180 мОм |
| RoHS | соответствовать |
| UDS | 650 V |
| Vgs(th) | 2.0..4.0 В |
| Базовый номер продукта | SIHP22N60E |
| Вес | 9,0E-6 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| Идентификатор производителя | SIHP22N60E-GE3 |
| Квалификация | Стандарт |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Материал | Si |
| Мoдель | TrenchFET |
| Особенность | ВН 600В |
| Производитель | ВИШАЙ |
| Режим | Улучшение |
| Способ крепления | THT |
| Температурный диапазон | -55..+150 |
| Технология | N-канальный |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Угс | ±30 В |
| Форма монтажа | TO-220 |
Информация для заказа
- Цена: 495 ₴