Корзина

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 09:00 ближайшего рабочего дня (завтра, 07.09)

+380 (99) 330-24-88
Інтернет - магазин "Vevor"
Корзина

Транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, 20 А, 160 Вт, корпус TO-3

673 ₴

Показать оптовые цены
  • Под заказ
  • Оптом и в розницу
  • Код: 2076155716
clockОтправка с 13 сентября 2026
Транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, 20 А, 160 Вт, корпус TO-3
Транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, 20 А, 160 Вт, корпус TO-3Под заказ
673 ₴
+380 (99) 330-24-88
оператор
+380 (99) 330-24-88
оператор
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Кремниевые силовые транзисторы с комплементарной схемой Дарлингтона
Предназначен для усилителей общего назначения и низкочастотных коммутационных приложений.

- Высокий коэффициент усиления по постоянному току при IC = 10 А постоянного тока
- hFE = 2400 (тип.) - 2N6284
- hFE = 4000 (тип.) - 2N6287
- Напряжение поддержания коллектор-эмиттер
- VCEO(sus) = 100 В пост. тока (мин.)
- Монолитная конструкция со встроенными шунтирующими резисторами база-эмиттер

Общие сведения
Тип Биполярные транзисторы (BJT)
Дизайн Дарлингтон-Трансисторен
Технология NPN
Форма монтажа TO-3
Электрические величины
Uceo 100 V
Ic 20 А
Ptot 160 Вт
fT 4 МГц
hFE 2400
Технические характеристики производителя
Производитель ONSEMI

 

Транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, 20 А, 160 Вт, корпус TO-3
Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Пользовательские характеристики
EAN/GTIN9900002171283
Ic20 А
Ptot160 Вт
RoHSсоответствовать
Uceo100 V
fT4 МГц
hFE2400
Вес0,018 кг
ДизайнДарлингтон-Трансисторен
Идентификатор производителя2N6284G
Код ТН ВЭД85412900
ТехнологияNPN
ТипБиполярные транзисторы (BJT)
Форма монтажаTO-3
Информация для заказа
  • Цена: 673 ₴